Vật liệu Zn₂SiO₄ không pha tạp và pha tạp Mn²⁺ dạng bột được chế tạo thành công bằng phương pháp nghiền bi hành tinh năng lượng cao kết hợp với ủ nhiệt độ tại 1250 ^oC trong môi trườngkhông khí. Các phép đo giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FESEM), phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS), phổ huỳnh quang (PL) tại nhiệt độ phòng được dùng để phân tích cấu trúc, hình thái bề mặt, thành phần hóa học và tính chất quang của vật liệu. Kết quả phân tích XRD, Raman chứng tỏ ion Mn²⁺ đã thay thế ion Zn²⁺ và làm thay đổi hằng số mạng của Zn₂SiO₄.Phổ EDS xác nhận ngoài bốn nguyên tố Zn, Sn, O, Mn không phát hiện nguyên tố lạ nào khác. Phổ PL kích thích ở bước sóng 270 nm của Zn₂SiO₄và Zn₂SiO₄:Mn²⁺ cho phát xạ mạnh tương ứng tại ~740 nm và ~525 nm. Nguồn gốc của đỉnh phát xạ 740 nm được giải thích là do sự truyền năng lượng từ tâm lỗ trống thiếu ôxi của liên kết Si-O (NBOHs) đến các trạng thái sai hỏng khác trong mạng nền Zn₂SiO₄. Trong khi phát xạ ~525 nm có nguyên nhân từ sự dịch chuyển điện tử từ trạng thái ⁴T₁(⁴G) - ⁶A₁(⁶S) của ion Mn²⁺ trong mạng nền Zn₂SiO₄.Các kết quả nhận được bước đầu đã chứng tỏ chúng tôi có thể điều khiển tính chất phát xạ trong vùng xanh lá cây và vùng đỏ xa từ vật liệu Zn₂SiO₄.