Chúng tôi báo cáo quy trình chế tạo vật liệu tổ hợp ZnO-SnO₂ bằng phương pháp nghiền bi hành tinh năng lượng cao kết hợp với ủ nhiệt trong không khí từ các tiền chất là ZnO và SnO₂. Kết quả đo ảnh hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FE-SEM) chỉ ra rằng vật liệu tổ hợp có dạng hạt gần cầu và kích thước tăng dần theo nhiệt độ ủ. Phân tích phổ nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy thành phần pha ZnO/SnO₂/Zn₂SnO₄ trong vật liệu phụ thuộc rất mạnh vào nhiệt độ ủ. Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDS) chứng tỏ ngoài ba nguyên tố Zn, Sn, O không phát hiện thêm nguyên tố lạ nào khác. Phổ huỳnh quang (PL) kích thích ở bước sóng 280 nm của mẫu sau khi nghiền 40 giờ và ủ tại 1100 ^oC cho thấy tồn tại vùng phát xạ rất rộng bao trùm từ 400 nm đến 900 nm với hai cực đại tại ~594 nm và ~704 nm. Nguồn gốc của các đỉnh phát xạ này được lý giải là do các sai hỏng trong vật liệu tổ hợp ZnO-SnO₂ gây ra. Kết quả nghiên cứu nhận được chứng tỏ có thể sử dụng bột ZnO-SnO₂ phủ lên chíp UV-LED (280) để chế tạo các điốt phát quang ánh sáng trắng có hệ số hoàn màu (CRI) cao.