Trong nghiên cứu này, các đặc tính điện tử, cơ học và quang học của hai dạng cấu trúc mới (g-Pnma và p-cubic) cho vật liệu SnS và SnSe đã được khảo sát và so sánh với cấu trúc cơ bản a-Pnma. Bằng tính toán lý thuyết phiếm hàm mật độ, các hệ cấu trúc mới cho thấy độ bền vững về năng lượng gần với hệ cơ bản a-Pnma và có độ bền cơ học tốt. Cấu trúc vùng năng lượng và các đặc tính quang học thể hiện rằng cấu trúc mới g-Pnma có khả năng ứng dụng cao trong pin quang điện và detector quang học, tương tự như cấu trúc a-Pnma. Riêng cấu trúc p-cubic thì có thể được phát triển ứng dụng về thiết bị quang điện.