Ngày nhận bài:04/03/2020 Ngày nhận bài sửa: 15/05/2020
Ngày duyệt đăng: 29/06/2020
Title:
Study of electronic and transport properties of the sawtooth penta-graphene nanoribbon doping by group III elements
Từ khóa:
Đặc tính điện tử, lý thuyết phiếm hàm mật độ, penta-graphene nanoribbon, tính chất vận chuyển điện tử
Keywords:
Density-functional theory, electronic properties, penta-graphene nanoribbon, transport properties
ABSTRACT
In this work, electronic and transport properties of the sawtooth penta-graphene nanoribbon doping by boron (B), aluminium (Al), and gallium (Ga) at various positions are systematically investigated by using the density-functional theory in combination with the non-equilibrium Green’s function formalism. Specifically, band structure, density of states, I-V curve and transmission spectrum of all samples are studied in detail. Our result shows that electronic and transport properties of the sawtooth penta-graphene nanoribbon not only depend on doped element but also doped position. Especially, all studied devices have the current intensity more than 8 orders compared to that of SSPGNR.
TÓM TẮT
Trong nghiên cứu này, đặc tính điện tử và tính chất vận chuyển điện tử của penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa pha tạp lần lượt boron (B), nhôm (Al), và gallium (Ga) tại hai vị trí khác nhau được khảo sát một cách có hệ thống bằng cách sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ và hàm Green không cân bằng. Cụ thể, cấu trúc vùng, mật độ trạng thái, đặc tuyến I(V) và phổ truyền qua của tất cả các mẫu được nghiên cứu một cách chi tiết. Kết quả cho thấy đặc tính điện tử và tính chất vận chuyển điện tử của penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa được pha tạp không những phụ thuộc vào nguyên tố được pha tạp mà còn phụ thuộc vào vị trí được pha tạp. Đặc biệt, tất cả các mô hình được khảo sát có cường độ dòng tăng gấp 8 lần so với penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa thuần.
Trích dẫn: Phạm Thị Bích Thảo, Trần Thị Ngọc Thảo và Nguyễn Thành Tiên, 2020. Nghiên cứu đặc tính điện tử và tính chất vận chuyển điện tử của penta-graphene nanoribbon dạng biên răng cưa được pha tạp các nguyên tố nhóm III. Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ. 56(Số chuyên đề: Khoa học tự nhiên)(1): 157-166.
Trích dẫn: Phạm Thị Bích Thảo, Trần Thị Ngọc Thảo và Nguyễn Thanh Sĩ, 2019. Mô hình PSM và cấu trúc, độ bền của các cluster. Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ. 55(5A): 74-81.
Phạm Thị Bích Thảo, Nguyễn Thành Tiên, Nguyễn Duy Khánh, 2015. Năng lượng liên kết của exciton trong giếng lượng tử parabol AlGaAs/GaAs/AlGaAs dưới tác dụng của từ trường đều áp theo hướng nuôi. Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ. 39: 9-16
Tạp chí khoa học Trường Đại học Cần Thơ
Lầu 4, Nhà Điều Hành, Khu II, đường 3/2, P. Xuân Khánh, Q. Ninh Kiều, TP. Cần Thơ
Điện thoại: (0292) 3 872 157; Email: tapchidhct@ctu.edu.vn
Chương trình chạy tốt nhất trên trình duyệt IE 9+ & FF 16+, độ phân giải màn hình 1024x768 trở lên