Thông tin chung:

Ngày nhận: 17/06/2013

Ngày chấp nhận: 25/02/2014

Title:  

A simulation of zinc oxide nanowire field?effect transistors

Từ khóa:

Mô phỏng, dây nano,
tran-zi-to hiệu ứng trường, đặc tuyến Vôn-Ampe, cấu hình cực cổng, oxit kẽm

Keywords:

Simulation, Nanowire, Field?Effect Transistor, Volt-Ampere characteristics, gate configuration, zinc oxide

abstract

We report the simulation results of the field-effect transistor (FET)
with various gate structures in order to find the FETs having the best electrical properties. We changed the ?gate configuration" with different arrangement gates (single-gate, double-gate, ordinary triple-gate, Pi-gate, omega-gate and gate all around (GAA)). Based on the simulation data, we drawn the Volt-Ampere characteristics lines (I-V). Then, we calculated the physical parameters affecting the operation of FETs including: threshold voltage, subthreshold slope, saturation currents, the on-off current ratio. Our simulations showed that the gate all around structure has better properties than the other structures, especially this structure restricts the short-channel effects.

TóM TắT

Chúng tôi báo cáo các kết quả mô phỏng transistor hiệu ứng trường với nhiều cấu trúc cổng khác nhau nhằm tìm ra FET có đặc tính điện tốt nhất. Chúng tôi thay đổi "hệ cực cổng" với các cách sắp xếp cực cổng khác nhau (một cổng, hai cổng, ba cổng thường, cổng dạng p, cổng dạng W và cổng bao vòng quanh). Dựa vào kết quả mô phỏng là bộ dữ liệu số, chúng tôi vẽ các đường đặc tuyến Vôn-Ampe (I-V). Sau đó, chúng tôi tính các thông số vật lý ảnh hưởng đến hoạt động của FET gồm: điện áp ngưỡng, độ dốc dưới ngưỡng, dòng điện bão hòa, tỷ lệ dòng điện ở trạng thái mở và trạng thái đóng, độ dẫn truyền. Chúng tôi ghi nhận được rằng, cấu trúc cổng bao vòng quanh có nhiều tính chất tối ưu hơn các cấu trúc cổng khác, đặc biệt là nó hạn chế được hiệu ứng kênh ngắn.