Thông tin chung:

Ngày nhận: 08/03/2013

Ngày chấp nhận: 19/08/2013

Title:

Absorption linewidth in the modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells due to interface roughness scattering

Từ khóa:

Cấu trúc nano, giếng lượng tử, khí điện tử hai chiều, độ mở rộng vạch phổ, cấu trúc dị chất, cấu hình tạp

Keywords:

Nano structure, quantum well, two-dimensional electron gas, absorption linewidth, heterostructure, doping profile

abstract

We calculate and investigate the influence of characteristic parameters of the modulation doping real quantum well (AlGaAs/GaAs/AlGaAs) to the distribution of the two-dimensional electron gas in the quantum well by the variational method. The studying results recorded that there is significantly change the distribution of electron gas in the well in the ground state and the excited state by the doping profile of the modulation-doped system. Thence, we evaluate the effects of the doping profile and the roughness profile parameters to the absorption linewidth. We believe that the changes of the distributions causes changes surface roughness scattering intensity, thus changing the absorption linewidth by the optical transition phenomenon between the two lowest subbands but this effect was little mentioned before.

TóM TắT

Chúng tôi tính toán và khảo sát ảnh hưởng của các tham số đặc trưng của hệ giếng lượng tử thực AlGaAs/GaAs/AlGaAs pha tạp điều biến đến sự phân bố khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử bằng phương pháp biến phân. Kết quả tính ghi nhận được rằng có sự thay đổi đáng kể sự phân bố điện tử trong giếng ở trạng thái cơ bản và trạng thái kích thích theo cấu hình tạp của hệ pha tạp điều biến. Từ đó, chúng tôi đánh giá ảnh hưởng của các tham số đặc trưng cho cấu hình tạp và cấu hình nhám lên độ rộng vạch phổ hấp thụ. Chúng tôi cho rằng sự thay đổi phân bố là nguyên nhân làm thay đổi cường độ tán xạ nhám bề mặt, vì thế làm thay đổi độ mở rộng vạch phổ hấp thụ bởi hiện tượng chuyển dời quang giữa hai vùng con thấp nhất nhưng hiệu ứng này ít được đề cập trước đây.