abstract

The mobility of the two-dimensional electron gas exists in the heterostructures is governed by many factors. One of them is the doping profile. The doping profile not only control the distribution of the two-dimensional electron gas but also affect their mobility. The doping is the general way to make the electron system for samples. However, the non-doping MgZnO/ZnO heterostructures also exist the high density electron gas system by their polar property. We investigate the impact of the doping profiles (uniform, modulation, and delta form) on the electron gas distributions and the mobility of the electron in the quantum wells are created by the MgZnO/ZnO heterostructures.

Keywords: Nano physics, quantum well, two-dimensional electron gas, mobility, heterostructure, doping profile

Title: The mobility of the two-dimensional electron gas exists in the MgZnO/ZnO  heterostructures with the various doping profiles

TóM TắT

Độ linh động của khí điện tử hai chiều (2DEG) tồn tại trong các cấu trúc dị chất chịu sự chi phối bởi nhiều yếu tố. Một trong những yếu tố đó là cấu hình tạp của chúng. Cấu hình tạp không những chi phối sự phân bố khí điện tử trong giếng lượng tử của cấu trúc dị chất mà nó còn ảnh hưởng đến độ linh động của khí điện tử. Để có hệ hạt tải hai chiều tồn tại trong cấu trúc dị chất có nồng độ cao người ta thường pha tạp cho hệ. Tuy nhiên, với hệ vật liệu MgZnO/ZnO không cần pha tạp, hệ điện tử tồn tại trong hệ vẫn có nồng độ cao do đặc tính phân cực của chúng. Chúng tôi đánh giá ảnh hưởng của các cấu hình tạp khác nhau (đồng đều, điều biến và dạng delta) lên sự phân bố khí điện tử và độ linh động điện tử tồn tại trong các giếng lượng tử tạo bởi các cấu trúc dị chất MgZnO/ZnO       khác nhau.

Từ khóa: Vật lý nano, giếng lượng tử, khí điện tử hai chiều, độ linh động, cấu trúc dị chất, cấu hình tạp