Thông tin chung:

Ngày nhận bài: 19/04/2017
Ngày nhận bài sửa: 15/06/2017

Ngày duyệt đăng: 30/10/2017

Title:

Electronic properties of the superlattice based on armchair ZnO/GaN nanoribbons

Từ khóa:

Cấu trúc vùng, lý thuyết phiếm hàm mật độ, mật độ trạng thái, giam cầm lượng tử, dãy nano, siêu mạng

Keywords:

Band structure, density functional theory, density of state, quantum confinement effect, nanoribbons, superlattice

ABSTRACT

ZnO and GaN are the typical semiconductor materials. These materials were used in application for optoelectronic devices. Both ZnO and GaN have crystal structure wurtzite-like and they have many similar physical properties. Therefore, their combination into superlattice is expected to create a new material system with new physical properties. In this study, we investigate the electronic properties of the superlattice based on ZnO/GaN armchair nanoribbons by the density functional theory (DFT) method. We have used the PBE functional for GGA and a plane-wave basis set with the projector augmented wave method as implemented in the Vienna ab initio simulation package (VASP). In results, it is shown that the electronic structures of some crystal structures exist the strong quantum confinement effect.

TÓM TẮT

ZnO và GaN là những vật liệu bán dẫn tiêu biểu và được ứng dụng nhiều trong các thiết bị quang điện tử. ZnO và GaN có cùng cấu trúc tinh thể wurtzite và có nhiều tính chất vật lý tương tự nhau. Do đó, khi kết hợp hai vật liệu này thành cấu trúc siêu mạng tạo ra một hệ vật liệu hứa hẹn có nhiều tính chất vật lý mới. Nghiên cứu này nghiên cứu tính chất điện tử của siêu mạng dựa trên ZnO/GaN biên armchair bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) phân cực spin. Gần đúng gradient suy rộng (GGA) cho thế tương quan trao đổi với phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzernhof (PBE) và một tập cơ sở sóng phẳng đã được thiết lập trong VASP. Kết quả nghiên cứu thể hiện rằng cấu trúc điện tử của một số cấu trúc tinh thể nghiên cứu có tồn tại hiệu ứng giam cầm lượng tử mạnh.

Trích dẫn: Nguyễn Thành Tiên, Lại Thị Hồng Yến, Võ Khương Điền và Huỳnh Thị Mỹ Duyên, 2017. Tính chất điện tử của cấu trúc siêu mạng dựa trên dãy dị chất ZnO/GaN kiểu armchair. Tạp chí Khoa học Trường Đại học Cần Thơ. 52a: 22-28.